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ATA-2000系列mems光柵應(yīng)用測(cè)試高壓放大器MEMS光柵應(yīng)用測(cè)試：

MEMS光柵采用了硅微加工工藝技術(shù)，在外力作用下使光柵的某些特征參數(shù)（如周期、光柵等常數(shù)）發(fā)生改變，從而實(shí)時(shí)改變光柵的工作性能，實(shí)現(xiàn)光柵的可編程應(yīng)用?；谄?的優(yōu)勢(shì)，MEMS光柵已經(jīng)用于光通信、高清顯示設(shè)備、光譜分析等領(lǐng)域。MEMS光柵具有多種驅(qū)動(dòng)方式，而靜電驅(qū)動(dòng)的 MEMS光柵， 由于其工藝易于實(shí)現(xiàn)、耗能低、頻率響應(yīng)高，因此是的驅(qū)動(dòng)方式。*的光柵光閥（GLV）和氣體探測(cè)器（Polychromix） 都是采用靜電驅(qū)動(dòng)的。 靜電驅(qū)動(dòng)的可編程光柵還存在某些不足。靜電驅(qū)動(dòng)的能量密度較小，當(dāng)結(jié)構(gòu)需要比較大的工作 位移（微米級(jí)），就必須增大驅(qū)動(dòng)電壓，驅(qū)動(dòng)電壓甚 至達(dá)到上百伏。當(dāng)結(jié)構(gòu)受靜電力作用，由于機(jī)械結(jié)構(gòu)*的慣性而產(chǎn)生彈性振蕩，增大系統(tǒng)延遲。實(shí)際工作時(shí)，光柵等效電容會(huì)隨光柵梁位移的改變而變化，導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)電路容性負(fù)載的變化。這些都為設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路帶來(lái)困難。 因此，MEMS光柵的工作性能很大程度上依賴(lài)于高壓放大器的性能。

MEMS測(cè)試功率放大器：

西安安泰電子科技有限公司生產(chǎn)的系列高壓放大器提供了DC-1.5MHz的帶寬，170Vpp~1600Vpp的輸出電壓范圍，40mA~500mA的電流輸出能力，是新型的MEMS相關(guān)應(yīng)用的動(dòng)態(tài)驅(qū)動(dòng)研發(fā)測(cè)試的理想選擇。

ATA-2000系列mems光柵應(yīng)用測(cè)試高壓放大器，可以輸出理想的單端及差分信號(hào)，為MEMS領(lǐng)域的研究提供了快捷的工具。同時(shí)該系列功率放大器，設(shè)計(jì)了良好的過(guò)壓，過(guò)流，短路保護(hù)裝置，同時(shí)為了更好的為MEMS測(cè)試客戶(hù)應(yīng)用，提供的完善的阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)，方便用戶(hù)選擇對(duì)應(yīng)的匹配阻抗。