新產(chǎn)品，新技術(shù)，新方向：外加5000V 高壓介電常數(shù)測試系統(tǒng)全新上市
GWGYJD-1000W型高溫高壓介電測試儀（外加5000V高壓）
關(guān)鍵詞：高溫，高壓5000V，介電損耗，阻抗
GWGY-1000W型高溫高壓介電常數(shù)測試儀是一款區(qū)別目前市場上高溫介電測試儀，也是研究材料介電性能的新領(lǐng)域，采用全新技術(shù)，打破了之前的只能在變溫下的頻率下測試，該設備能夠在對樣品進行高溫測試的同時，給樣品加高壓，最高可達5000V直流高壓，更加直觀的看到樣品在外加高壓的條件下，內(nèi)部相關(guān)的性質(zhì)變化，很多關(guān)于薄膜和壓電陶瓷樣品，是在外加高壓條件下，性能會出現(xiàn)比較大的變化，無疑給新的科研提供新的研究方向，對于研究新產(chǎn)品及半導體材料有著重要作用。也是目前高校研究和生產(chǎn)的重要儀器。
一、應用范圍
(1)介質(zhì)材料：塑料、陶瓷和其它材料的介電常數(shù)和損耗角評估
(2)液晶單元：介電常數(shù)、彈性常數(shù)等C-V特性
(3)半導體材料：半導體材料的介電常數(shù)、導電率和C-V特性
(4)半導體元件：LED驅(qū)動集成電路寄生參數(shù)測試分析；變?nèi)荻O管的C-VDC特性；晶體管或集成電路的寄生參數(shù)分析
(5)無源元件：電容器、電感器、磁芯、電阻器、壓電器件、變壓器、芯片組件和網(wǎng)絡元件等的阻抗參數(shù)評估和性能分析。
二、主要特點：
1、電容(C), 電感(L), 電阻(R), 電導(G), 電納(B), 電抗(X), 消耗因素(D), 品質(zhì)因素(Q), 阻抗(Z), Y參數(shù)(Y), 相位角(?)
2、高精度量測：電容,電感及阻抗基本精度為±0.05%.消耗因素精度為±0.0005及品質(zhì)因素精度為±0.05%.
3、元件圖形掃描;精密阻抗分析儀不僅提供高頻率,高精度的量測. 該設備還是一個包含豐富特性的元件分析儀.
4、圖形掃描可依據(jù)頻率, 驅(qū)動值及直流偏壓源同時在高清晰,大型彩色顯示幕上顯示任意兩種參數(shù)的圖形.
5、顯示格式包括 串聯(lián) 或并聯(lián)等同電路和兩極形式.單測某一頻率時可以從圖形掃描轉(zhuǎn)換成標準電表讀值模式.
6、可變的輸出和偏壓源，最高達到5000V
三、符合規(guī)范：
1、GB/T 3389.7-1986壓電陶瓷材料性能測試方法
2、GBT 1409-2006 測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長存內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
3、GBT 1693-2007 硫化橡膠 介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切值的測定方法
4、ASTM-D150-介電常數(shù)測試方法
5、GB9622.9-88/SJT 11043-1996 電子玻璃高頻介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的測試方法
四、主要技術(shù)參數(shù)：
1、溫度范圍： 室溫-1000℃ 測溫精度： 0.1℃
2、外加電壓：0-5000V
3、頻 率：10HZ-1MHZ,2MHZ,5MHZ,10MHZ,30MHZ可選
4、升溫速度： 1—20。C/min
5、控溫模式： 程序控制，提供常溫、變溫、恒溫、升溫、降溫等多種組合方式
6、通訊接： RS-485
7、溫度范圍： 0—600℃，0—800℃，0—1000℃，
8、測試頻率： 200Hz—50MHz
9、電極材質(zhì)： 鉑銥合金
10、上電極： 直徑1.6mm球頭電極，引線帶同軸屏蔽層
11、下電極： 直徑26.8mm平面電極，引線帶同軸屏蔽層
12、保護電極： 帶保護電極，消除寄生電容、邊界電容對測試的影響
13、電極干擾屏蔽： 電極引線帶同軸屏蔽，樣品平臺帶屏蔽罩
14、夾具升降控制： 帶程序和手動控制，可更換夾具的電動升降裝置
15、熱電偶： 熱電偶探頭與樣品平臺為同一熱沉，測控溫度與樣品溫度保持一致
16、無電極樣品尺寸： 直徑小于40mm，厚度小于8mm
17、帶電極樣品尺寸： 直徑小于26mm，厚度小于8mm
18、軟件功能：自動分析數(shù)據(jù)，可以分類保存，樣品和測量方案結(jié)合在一起，生成系統(tǒng)所需的實驗方案，輸出TXT、XLS、BMP等格式文件
19、測量方案： 提供靈活、豐富的測試設置功能，包括頻率譜、阻抗譜、介電譜及其組合
20、接口方式：包括Keysight\WayneKerr\Tonghui等多種LCR接口，
21、外形尺寸 ： L360mm*W370mm*H510mm
22、凈 重： 22KG
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