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近日，NANO-MASTER工程師至廣西師范大學(xué)，順利安裝驗(yàn)收NRE-3000型RIE反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng)！

詳細(xì)參數(shù)：

1.      腔體：10"直徑的圓柱形腔體；陽極氧化鋁材質(zhì)，抗腐蝕性強(qiáng)；上下蓋設(shè)計，氣動升降頂蓋，一鍵實(shí)現(xiàn)上蓋的開啟/閉合；淋浴頭設(shè)計，最佳的氣流均勻分布

2.      樣品臺：4"樣品臺；冷卻功能；偏壓功能，支持各向異性的垂直刻蝕；

3.      質(zhì)量流量控制器：4路氣體，每路包含MFC、氣動截止閥和不銹鋼管路氣體

4.      真空系統(tǒng)：分子泵與機(jī)械泵，4分鐘內(nèi)可達(dá)10-4Torr的高工藝真空度，12小時抽氣后，干凈腔體中的壓力可達(dá)極限真空6x10-7 Torr；分子泵與工藝腔體采用直連設(shè)計方案，具有最佳的真空傳導(dǎo)率

5.      射頻電源：13.56MHz，300W，反射功率≤5W，配套自動調(diào)諧器，穩(wěn)定輸出功率為95%

6.      控制系統(tǒng)：Lab View軟件控制；四級密碼授權(quán)訪問；壓力、流量、功率等主要參數(shù)指標(biāo)實(shí)時顯示；20"的監(jiān)控屏幕

7.      系統(tǒng)信息：26"×26"占地面積；鋁質(zhì)柜體；*的安全聯(lián)鎖

8.      主要工藝參數(shù)

           （1）應(yīng)用范圍：有機(jī)物刻蝕、硅的化合物刻蝕、光刻膠去膠等；

           （2）工藝參數(shù)：4"片為：

           （3）刻蝕均勻性優(yōu)于：+/-3%；

           （4）Si3N4的刻蝕速率：≥50nm/min；

           （5）對PR選擇比：≥1.5:1；

           （6）陡直度：≥82°；

           （7）SiO2的刻蝕速率：≥40nm/min；

           （8）對PR選擇比：≥1.5:1；

            （9）陡直度：≥85°。