無(wú)塵車(chē)間加濕機(jī)的新聞資訊：無(wú)塵車(chē)間如何選擇加濕機(jī)，無(wú)塵車(chē)間在現(xiàn)代工業(yè)生產(chǎn)中的作用很大，濕度要有嚴(yán)格要求，這樣才能保障工業(yè)產(chǎn)品生產(chǎn)安全。而在一些電子廠無(wú)塵車(chē)間內(nèi)相對(duì)濕度只有 30%時(shí)容易出現(xiàn)靜電荷，適當(dāng)增高空氣濕度實(shí)際上減小了無(wú)塵車(chē)間、潔凈室表面的靜電荷積累。相對(duì)濕度保持在35%到40%之間可以作為一個(gè)令人滿(mǎn)意的折中，半導(dǎo)體無(wú)塵車(chē)間、潔凈室一般都使用額外的控制裝置（空氣加濕機(jī)）以限制靜電荷的積累。

無(wú)塵車(chē)間加濕機(jī)，對(duì)于凈化空調(diào)系統(tǒng)的加濕問(wèn)題而言，常用的加濕方法有很多種，有淋水、濕膜、高壓噴霧和超聲波等水加濕，這些加濕方法屬等焓加濕過(guò)程。而噴蒸汽、噴干蒸汽和電極（電熱）加濕是向空調(diào)送風(fēng)中噴蒸汽，其加濕方法屬等溫加濕過(guò)程。從確保潔凈廠房?jī)?nèi)相對(duì)濕度的精度而言，上述的淋水、高壓噴霧、濕膜等水加濕方法其控制的精度不高，故當(dāng)潔凈廠房?jī)?nèi)相對(duì)濕度精度要求≤±10%時(shí)不采用。而采用噴干蒸汽和電熱（電極）式加濕的方法。噴干蒸汽的加濕方法要注意干蒸汽加濕器有一個(gè)噴蒸汽效率的問(wèn)題， 并非噴入空調(diào)箱內(nèi)的蒸汽全部加入到空調(diào)送風(fēng)中，而其中有一部分變成凝結(jié)水排放出來(lái)。因此，在潔凈廠房相對(duì)濕度偏低時(shí)，達(dá)不到工藝要求。推薦使用日CS-20Z超聲波純水工業(yè)加濕機(jī)。

CS系列超聲波純水加濕機(jī)內(nèi)部采用十組晶片集成式霧化器，并配有無(wú)水保護(hù)裝置，所產(chǎn)生的霧粒直徑只有1-10μ，能夠迅速使水霧化，使水霧長(zhǎng)時(shí)間懸浮于空氣之中，CS系列超聲波純水加濕器無(wú)機(jī)械驅(qū)動(dòng)、無(wú)噪音干擾、無(wú)污染，霧化效率高、故障率低、能耗低、維護(hù)簡(jiǎn)便，是高效、可靠、實(shí)用的超聲波空氣質(zhì)量調(diào)節(jié)加濕設(shè)備。

CS 系列純凈水超聲波加濕器 ，無(wú)需接自來(lái)水管，將純凈水桶放上供水，無(wú)水源環(huán)境純凈水加濕機(jī)加濕器加濕設(shè)備。可廣泛應(yīng)用于機(jī)場(chǎng)、車(chē)站、酒店、商場(chǎng)、辦公區(qū)等公共場(chǎng)所增加空氣濕度及空氣中負(fù)離子含量；還可應(yīng)用于水源不便或高潔凈的電子車(chē)間廠房、無(wú)塵車(chē)間、凈化室、食品、藥品企業(yè)、實(shí)驗(yàn)室等場(chǎng)所的加濕、消除靜電等工作。

無(wú)塵車(chē)間相關(guān)信息： 

        潔凈空間的溫濕度主要是根據(jù)工藝要求來(lái)確定，但在滿(mǎn)足工藝要求的條件下，應(yīng)考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔凈度要求的提高，出現(xiàn)了工藝對(duì)溫濕度的要求也越來(lái)越嚴(yán)的趨勢(shì)。

       具體工藝對(duì)溫度的要求以后還要列舉，但作為總的原則看，由于加工精度越來(lái)越精細(xì)，所以對(duì)溫度波動(dòng)范圍的要求越來(lái)越小。例如在大規(guī)模集成電路生產(chǎn)的光刻曝光工藝中，作為掩膜板材料的玻璃與硅片的熱膨脹系數(shù)的差要求越來(lái)越小。直徑100 um的硅片，溫度上升1度，就引起了0.24um線性膨脹，所以必須有±0.1度的恒溫，同時(shí)要求濕度值一般較低，因?yàn)槿顺龊挂院螅瑢?duì)產(chǎn)品將有污染，特別是怕鈉的半導(dǎo)體車(chē)間，這種車(chē)間不宜超過(guò)25度。

      濕度過(guò)高產(chǎn)生的問(wèn)題更多。相對(duì)濕度超過(guò)55%時(shí)，冷卻水管壁上會(huì)結(jié)露，如果發(fā)生在精密裝置或電路中，就會(huì)引起各種事故。相對(duì)濕度在50%時(shí)易生銹。此外，濕度太高時(shí)將通過(guò)空氣中的水分子把硅片表面粘著的灰塵化學(xué)吸附在表面耐難以清除。相對(duì)濕度越高,粘附的難去掉，但當(dāng)相對(duì)濕度低于30%時(shí)，又由于靜電力的作用使粒子也容易吸附于表面，同時(shí)大量半導(dǎo)體器件容易發(fā)生擊穿。對(duì)于硅片生產(chǎn)較佳溫度范圍為35—45%。