等離子去膠機是適用于硅基半導體及化合物半導體前后道的等離子體去膠設備，主要用于光刻膠的剝離或灰化，也可用于有機及無機殘留物的去除，去除殘膠以及等離子刻蝕的應用，清洗微電子元件、電路板上鉆孔或銅線框架，提高黏附性等，它的設計緊湊，占地面積小，設備運行穩(wěn)定可靠、易于維護、產(chǎn)能高。它的工藝簡單、效率高，處理后無酸氣廢水等殘留。
影響等離子去膠機處理效果的四大因素：
1.頻率的調(diào)整：頻率越高，氧越易電離構成等離子體。頻率太高，以致電子振幅比其平均自由程還短，則電子與氣體分子磕碰概率反而減少，使電離率降低。
2.功率的調(diào)整：關于必定量的氣體，功率大，等離子體中的的活性粒子密度也大，去膠速度也快；但當功率增大到必定值，反響所能耗費的活性離子到達飽滿，功率再大，去膠速度則無顯著添加。由于功率大，基片溫度高，所以應根據(jù)技術需求調(diào)理功率。
3.真空度的調(diào)整：恰當?shù)恼婵斩?，可使電子運動的平均自由程變大，因而從電場取得的能量就大，有利電離。別的當氧氣流量必守時，真空度越高，則氧的相對份額就大，發(fā)生的活性粒子濃度也就大。但若真空度過高，活性粒子濃度反而會減小。
4.氧氣流量的調(diào)整：氧氣流量大，活性粒子密度大，去膠速率加速；但流量太大，則離子的復合概率增大，電子運動的平均自由程縮短，電離強度反而降低。若反響室壓力不變，流量增大，則被抽出的氣體量也添加，其間尚沒參與反響的活性粒子抽出量也隨之添加，因而流量添加對去膠速率的影響也就不甚顯著。
看完以上分享，相信大家對等離子去膠機的使用一定有了更深入的了解！
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