概述：沉積系統(tǒng)可用于制備光學薄膜、電學薄膜、磁性薄膜、硬質保護薄膜和裝飾薄膜等，工藝性能穩(wěn)定、模塊化結構，采用行業(yè)軟件控制系統(tǒng)；4英寸鍍膜區(qū)域內片內膜厚不均勻性：≤±2.5%，8英寸鍍膜區(qū)域內片內膜厚不均勻性：≤±3.5%，測定標準以Ti靶材，濺射200——500nm厚薄膜，邊緣去5mm，隨機5點取樣測定為準。

樣品托面中心到地面的高度約1360mm；

鍍膜材料適用于：Au、Ag、Pt、W、Mo、Ta、Ti、Al、Si、Cu、Fe、Ni、氧化鋁，氧化鈦，氧化鋯，ITO，AZO，氮化鉭，氮化鈦等；

PVD平臺概述：既專注單一功能、又可通過拓展實現(xiàn)多平臺聯(lián)動：

1、關鍵部件接口都為標準接口，可以通過更換功能單元實現(xiàn)電子束、電阻蒸發(fā)、有機蒸發(fā)、多靶或單靶磁控濺射、離子束、多弧、樣品離子清洗等功能；

2、系統(tǒng)平臺為準無油系統(tǒng)，提供更優(yōu)質的超潔凈實驗環(huán)境，保障實驗結果的可靠性和重復性；

3、系統(tǒng)可以選擇單靶單樣品、多靶單樣品等多層沉積方式；

4、靶基距具有腔外手動調節(jié)功能；

5、系統(tǒng)設置一鍵式操作，可以實現(xiàn)自動手動切換、遠程控制、遠程協(xié)助等功能；

6、控制軟件分級權限管理，采用配方式自動工藝流程，提供開放式工藝編輯、存儲與調取執(zhí)行、歷史數據分析等功能，可以不斷更新和升級；

7、可以提供網絡和手機端查詢控制功能（現(xiàn)場要具備局域網絡），實現(xiàn)隨時查詢數據記錄、分析統(tǒng)計等功能；

8、節(jié)能環(huán)保，設備能耗優(yōu)化后運行功率相比之前節(jié)能10%；；

9、可用于標準鍍膜產品小批量生產。

   互聯(lián)系統(tǒng)技術描述

   真空互聯(lián)系統(tǒng)由物理氣相沉積磁控濺射系統(tǒng)A、物理氣相沉積磁控濺射系統(tǒng)B、物理氣相沉積、電子束及熱阻蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)A、物理氣相沉積電子束及熱阻蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)B、進樣室、出樣室、傳輸管、機械手等組成，可以實現(xiàn)樣品在真空環(huán)境下不同工藝方法的樣品薄膜制備和傳遞。