XEIA3 -- 聚焦離子束掃描電鏡是一款*的集多種功能于一體的新型雙束聚焦(XE)掃描電子顯微鏡，它性能優(yōu)異，為用戶提供完美的整體解決方案。XEIA3 -- 聚焦離子束掃描電鏡不僅配有大功率的FIB以進行超快速的微米或納米級切割，還具備出色的低能粒子束成像能力，同時亦可以進行快速可靠地顯微分析以及樣品分析的3D重建。

 

關鍵參數(shù)特征

• • 功能強大的SEM電子光學系統(tǒng)，采用高亮度的Schottky發(fā)射器為電子源，具有束流大，噪點低，非凡的成像能力等特點
  • In-Beam探測器能夠確保在極小的工作距離下仍能收集信號，進行高品質(zhì)成像
  • 采用Xe等離子體源的超快速FIB系統(tǒng)。 束流大，具有驚人的離子束切割速度，因此在切除大體積塊狀材料時卓有成效；同時較低的離子束流便于完成樣品表面拋光
  • 電子束減速技術(shù)（BDT）助力于進行超低著陸電壓下的完美成像
  • 隔離材料的植入、摻雜或降解更少，這點對于半導體行業(yè)相當重要
  • SEM與 FIB兩系統(tǒng)互補，即使用FIB進行樣品切割或沉積時，可同時進行SEM成像拍照
  • TESCAN電鏡*的各種自動化操作技術(shù)，如In-Flight Beam Tracing^TM技術(shù)可通過計算精確的調(diào)節(jié)高分辨率成像所需的參數(shù)設置（例如工作距離WD、放大倍率等）
  • DrawBeam 軟件模塊是一個便于進行圖案設計的工具，3D功能亦很強大，使用它可在FIB切割或粒子束蝕刻等過程可實時獲取圖像
  • 為3D EDX及3D EBSD等三維顯微分析技術(shù)帶來全新的解決方案
  • 集成了飛行時間二次離子質(zhì)譜（TOF-SIMS）與 掃描探針顯微技術(shù)，可擴展的大樣品室，使用戶能夠進行6’’、8’’ and 12’’ 的晶片光刻檢驗，12’’ 晶片光刻檢驗是TESCAN電鏡*的技術(shù)能力
  • 氣體注入系統(tǒng) (GIS) 有助于使FIB完成更多應用
  • 高性能的電子成像能力，其成像速率可高達20 ns/pxl, 同時具備出色的沉積速率及超快的掃描速度
  • 渦輪分子泵及前級泵的高效能有利于保持樣品室的清潔度；電子槍通過離子吸氣泵獲得真空