氧化−還原法石墨烯研磨分散機 是先用強酸和氧化劑對石墨進行插層，減弱石墨層間范德華力，經(jīng)過適當?shù)某晫⑵浯蛏ⅲ㈦x心除去剝層不*的石墨得到單層氧化石墨烯分散液，之后再用化學或熱解方法將其還原，恢復其導電性，從而得到石墨烯。如圖2-7所示。該方法設備簡單，原材料便宜，能夠?qū)崿F(xiàn)大規(guī)模制備，

氧化−還原法石墨烯這是目前zui常用的制備石墨烯的方法,同時國內(nèi)外科學家已經(jīng)對這方面做了大量的研究。石墨本身是一種憎水性物質(zhì), 與其相比,GO表面和邊緣擁有大量的羥基、羧基、環(huán)氧等基團, 是一種親水性物質(zhì), 正是由于這些官能團使GO 容易與其它試劑發(fā)生反應, 得到改性的氧化石墨烯；同時GO層間距(0.7~1.2nm)也較原始石墨的層間距(0.335nm)大, 有利于其它物質(zhì)分子的插層。 制備GO的辦法一般有3種: Standenmaier法[21]、Brodie法[22]、Hummers法[23]。制備的基本原理均為先用強質(zhì)子酸處理石墨, 形成石墨層間化合物, 然后加入強氧化劑對其進行氧化。因這些方法中均使用了對化工設備有強腐蝕性、強氧化性的物質(zhì), 故現(xiàn)今有不少GO的改進合成方法。 GO的結(jié)構比較復雜, 目前還沒有*的結(jié)構式, 比較常用的一種如圖2-6所示。由于GO 表面及邊緣上有大量的羧基、羥基和環(huán)氧等活性基團, 可以充分利用這些官能團的活性進行多種化學反應在石墨烯片上引入各種分子即可達到石墨烯的共價鍵修飾。除了通過在GO 表面上鍵合一些特定的化學基團來避免還原GO時石墨烯片層間的重新堆集, 也能利用一些分子與石墨烯之間較強的相互作用力(如π−π堆積力、vanderwaals作用力、氫鍵)來達到穩(wěn)定單層石墨烯片的效果。綜上所述該方法主要是先用強酸和氧化劑對石墨進行插層，減弱石墨層間范德華力，經(jīng)過適當?shù)某晫⑵浯蛏?，并離心除去剝層不*的石墨得到單層氧化石墨烯分散液，之后再用化學或熱解方法將其還原，恢復其導電性，從而得到石墨烯。如圖2-7所示。該方法設備簡單，原材料便宜，能夠?qū)崿F(xiàn)大規(guī)模制備

氧化−還原法石墨烯研磨分散機   

是由膠體磨,分散機組合而成的高科技產(chǎn)品。

*級由具有精細度遞升的三級鋸齒突起和凹槽。定子可以無限制的被調(diào)整到所需要的與轉(zhuǎn)子之間的距離。在增強的流體湍流下，凹槽在每級都可以改變方向。

第二級由轉(zhuǎn)定子組成。分散頭的設計也很好地滿足不同粘度的物質(zhì)以及顆粒粒徑的需要。在線式的定子和轉(zhuǎn)子（乳化頭）和批次式機器的工作頭設計的不同主要是因為在對輸送性的要求方面，特別要引起注意的是：在粗精度、中等精度、細精度和其他一些工作頭類型之間的區(qū)別不光是轉(zhuǎn)子齒的排列，還有一個很重要的區(qū)別是不同工作頭的幾何學特征不一樣。狹槽數(shù)、狹槽寬度以及其他幾何學特征都能改變定子和轉(zhuǎn)子工作頭的不同功能。根據(jù)以往的慣例，依據(jù)以前的經(jīng)驗工作頭來滿足一個具體的應用。在大多數(shù)情況下，機器的構造是和具體應用相匹配的，因而它對制造出zui終產(chǎn)品是很重要。當不確定一種工作頭的構造是否滿足預期的應用。

CMD2000系列的線速度很高，剪切間隙非常小，這樣當物料經(jīng)過的時候，形成的摩擦力就比較劇烈，結(jié)果就是通常所說的濕磨。定轉(zhuǎn)子被制成圓椎形，具有精細度遞升的三級鋸齒突起和凹槽。定子可以無限制的被調(diào)整到所需要的與轉(zhuǎn)子之間的距離。在增強的流體湍流下，凹槽在每級都可以改變方向。高質(zhì)量的表面拋光和結(jié)構材料，可以滿足不同行業(yè)的多種要求。

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